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          臺積電新型存儲技術問世，功耗僅為同類技術的1%
          
                                                            
            
                    	
          • 臺積電利用其自身先進的制程優(yōu)勢，正在積極推動新型存儲產業(yè)的發(fā)展。
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          • 關鍵字：
                        MRAM                          
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          MRAM：RAM和NAND再遇強敵
          
                                                            
            
                    	
          • M 是一種非易失性存儲技術，通過磁致電阻的變化來表示二進制中的 0 和 1，從而實現(xiàn)數據的存儲。由于產品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數據信息，并擁有不遜色于 DRAM 內存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠低于 DRAM。被大廠看好的未來之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球專利第一，2002 年三星宣布研發(fā) MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對 MRAM 的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發(fā)逐漸走向低調。20
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          • 關鍵字：
                        MRAM                          
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          迷人的新型存儲
          
                                                            
            
                    	
          • 多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數和內存更先進制程。現(xiàn)代社會已經進入大數據、物聯(lián)網時代——一方面，數據呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ；另一方面，依據傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導體技術所面臨的挑戰(zhàn)越來越大、需要的成本越來越高、實現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應用材料公司金屬沉積產品事業(yè)部全球產品經理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲器，已經有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強?！沟且呀涢_始出現(xiàn)無法超越的
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          • 關鍵字：
                        MRAM  ReRAM  PCRAM                          
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          尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破
          
                                                            
            
                    	
          • 據外媒報道，三星電子即將在國際電子器件會議（IEDM）上報告其在新一代非易失性存儲器件領域的最新研究進展。會議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實現(xiàn)了磁性隧道結堆疊的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)制造，據稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團隊采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結擴展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國際電子器件會議上就此進行報告。論文中提到，該團隊生產了一個獨立的存儲器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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          • 關鍵字：
                        功耗  三星  MRAM                          
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          工業(yè)儲存技術再進化 完美內存MRAM現(xiàn)身  
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近年來，半導體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領域都可以應用大量芯片記錄海量數據。內存是所有微控制器嵌入式系統(tǒng)的主要組件，閃存（Flash）儲存技術早已成為工控設備的主流配備。近年來，半導體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領域都可以應用大量芯片記錄海量數據。新一代嵌入式內存具有小體積、大容量、高效能等特性，可以滿足龐大運算需求，
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          • 關鍵字：
                        工業(yè)儲存  MRAM                            
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          一文讀懂｜三大新興存儲技術：MRAM、RRAM和PCRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在如此龐大的資料儲存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統(tǒng)記憶體已逐漸無法負荷，且再加上傳統(tǒng)記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅使半導體產業(yè)轉向發(fā)展更高儲存效能、更低成本同時又可以朝制程微縮邁進的新興記憶體。
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          • 關鍵字：
                        存儲技術  MRAM  RRAM  PCRAM                          
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          MRAM技術新突破！臺灣清大團隊發(fā)表新磁性翻轉技術
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲器技術，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數據不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治，上層是自由翻轉的鐵磁層，可快速處理數據，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數據，兩層中則有氧化層隔開?！　∑?/li>
                    	                        
          • 關鍵字：
                        MRAM  DRAM                          
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          MRAM將改變半導體市場的格局？三星已開始大量生產
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據報道，三星已開始生產磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點。　　三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上，開始大規(guī)模生產和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標志著新內存產品的首次發(fā)貨?！　∵@種解決方案無需在數據記錄期間擦除數據，并實現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時保存了存儲的數據，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很
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          • 關鍵字：
                        MRAM  三星                          
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          英特爾已悄悄將MRAM商用？三星緊追其后
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術。　　MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機存取存儲)，是一種非易失性存儲技術，從 1990 
年代開始發(fā)展。此技術速度接近靜態(tài)隨機存儲的高速讀取寫入能力，具有閃存的非揮發(fā)性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠低于 
DRAM，而且基本上可以無限次地重復寫入。　　英特爾曾表示其嵌入式 MRAM 技術可在200℃下實
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          • 關鍵字：
                        英特爾  MRAM                          
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          聯(lián)華電子和美商Avalanche合作技術開發(fā)MRAM及相關28納米產品
          
                                                            
            
                    	
          • 　　聯(lián)華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發(fā)和生產取代嵌入式內存的磁阻式隨機存取內存(MRAM)。同時聯(lián)華電子也將透過Avalanche的授權提供技術給其他公司?！　÷?lián)華電子根據此合作協(xié)議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區(qū)塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內存模塊整合至應用產品，并鎖定在物聯(lián)網、穿戴裝置、消費型產品，以及工業(yè)、車用電子市場的微控制器(MCU)和系統(tǒng)單芯片(So
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          • 關鍵字：
                        聯(lián)華電子  MRAM  28納米                          
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          嵌入式存儲器的過去與現(xiàn)在
          
                                                            
            
                    	
          • 近期臺積電技術長孫元成在其自家技術論壇中，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年
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          • 關鍵字：
                        嵌入式存儲器  MRAM  eRRAM  物聯(lián)網                          
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          使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結陣列的加工成為可能
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　半導體產業(yè)正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 (MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進展。　　應用材料公司為實現(xiàn) STT MRAM 的制造提供了多項重要創(chuàng)新，包括基于Endura? 平臺上的PVD創(chuàng)新以及特別的蝕刻技術。利用這些新技術并借助梅丹技術中心的設施來加工并測試器件陣列，我們驗證了 STT MRAM 的性能和可擴展性?！　∪缃瘢诉?/li>
                    	                        
          • 關鍵字：
                        STT  MRAM                          
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          新式儲存結構能加速MRAM市場起飛嗎？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　MRAM新創(chuàng)公司STT開發(fā)出一種存儲器專有技術，據稱可在增加數據保持的同時降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結構將在MRAM市場扮演什么角色?它能成為加速MRAM市場起飛的重要推手嗎?　　磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發(fā)出MRAM專用技術，據稱能以同步提高數據保持(retention)與降低電流
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          • 關鍵字：
                        MRAM  SRAM                          
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          如何給汽車系統(tǒng)選擇合適的非易失性存儲器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　汽車系統(tǒng)的設計變得越來越復雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復位操作和電源切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數據、校準數據、安全性能和防護安全相關信息等重要數據，以作將來檢索用途?！　∧壳笆袌錾现饕@幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器)，MRAM
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          • 關鍵字：
                        MRAM  FRAM                          
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          基于magnum II測試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測試技術研究
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲器(MRAM)，可利用其對大容量數據進行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結構和原理，其次詳細闡述了基于magnum II測試系統(tǒng)的測試技術研究，提出了采用magnum II測試系統(tǒng)的APG及其他模塊實現(xiàn)對MRAM VDMR8M32進行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫數據0測試，全空間讀寫數據1，以棋盤格方式進行全空間讀寫測試。另外，針對MRAM的關鍵時序參數，如T
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          • 關鍵字：
                        VDMR8M32  MRAM                           
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